삼성전자는 ‘6세대(1XX단) 256GB 3비트 V낸드’를 기반으로 한 ‘기업용 PC SSD’를 세계 최초로 양산해 글로벌 PC 업체에 공급했다고 6일 밝혔다.

제품은 초고난도의 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술로 5세대 V낸드보다 단수를 약 1.4배 높인 6세대 V낸드가 적용된 것으로, 6세대 V낸드는 전기가 통하는 몰드(Mold) 층을 136단 쌓은 후 미세한 원통형의 구멍을 단번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 만는 것이다.

일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고, 전자의 이동 경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생하는데, 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9X단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 삼성전자가 유일하다.

삼성전자는 6세대 V낸드에 데이터 쓰기 시간 450㎲ 이하, 읽기 응답 대기시간 45㎲ 이하 등 ‘초고속 설계 기술’을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고속도를 달성, 전 세대보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.

또한 6억7,000만개 미만의 채널 홀로 256GB 용량을 구현, 5세대 V낸드(9X단, 약 9억3,000만개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 높이는 등 ‘속도·생산성·절전’ 특성을 동시에 향상시켰다고 설명했다.

아울러, 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있기 때문에 제품 개발 주기를 더 단출할 수 있다.

삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속·초절전 특정을 업계 최초로 만족시킴에 따라 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나선다는 계획이다.

이와 함께 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하는 한편, 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 3차원 V낸드의 사업 영역을 계속 확장할 예정이다.

경계현 삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장(부사장)은 “2세대 앞선 초고난도 3차원 메모리 양산 기술 확보로 속도와 전력효율을 더욱 높인 메모리 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 차세대 라인업의 개발 일정을 더 앞당겨 초고속·초고용량 SSD시장을 빠르게 확대시켜 나갈 것”이라고 말했다.