SK하이닉스는 22일, 업계 최고 수준인 321단 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 적용한 차세대 모바일 저장장치인 UFS 4.1 솔루션을 개발했다고 발표했다.

회사 측은 “모바일 환경에서 온디바이스(On-device) AI를 원활히 구현하려면, 고성능과 저전력 특성을 동시에 갖춘 낸드 솔루션이 필요하다”며 “AI 워크로드에 최적화된 이번 제품으로 프리미엄 스마트폰 시장에서도 메모리 분야의 주도권을 확대하겠다”고 밝혔다.

워크로드(Workload)는 대규모 데이터 처리나 데이터베이스 연산 등 일정 시간 내 수행해야 할 작업의 양과 유형을 의미한다. 

최근 온디바이스 AI 기술이 빠르게 확산되면서, 연산 처리 능력과 배터리 효율의 조화가 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다. 특히 얇고 가벼운 모바일 기기에서도 고성능을 구현하는 것이 필수 요건이 되고 있다.

이런 시장 요구에 부응해 SK하이닉스는 이번 제품에서 전력 효율을 기존 238단 낸드플래시 제품 대비 7% 개선했으며, 두께 역시 1mm에서 0.85mm로 줄여 초슬림 디자인의 스마트폰에도 쉽게 탑재할 수 있도록 설계했다.

또한 이 제품은 4세대 UFS 인터페이스의 최대 순차 읽기 속도인 4,300MB/s를 지원하며, 랜덤 읽기 성능은 기존 대비 15%, 랜덤 쓰기 성능은 40% 향상돼 현존하는 UFS 4.1 기반 제품 중 최고 수준의 성능을 자랑한다.

이러한 성능 향상은 온디바이스 AI 구동 시 필요한 데이터를 실시간으로 공급하고, 앱 실행 속도와 사용자 반응성을 높여 전반적인 체감 성능 향상에 기여할 것으로 보인다.

이번 제품은 512GB와 1TB 두 가지 용량으로 개발되었으며, 연내 고객사 테스트 및 인증 절차를 마친 뒤 내년 1분기부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 UFS 4.1 제품을 시작으로, 동일한 321단 4D 낸드 기반의 소비자용 및 데이터센터용 SSD 개발도 올해 안에 완료할 계획”이라며 “AI 기술에 최적화된 낸드 포트폴리오를 구축해 풀스택 AI 메모리 공급자로서의 입지를 더욱 공고히 하겠다”고 강조했다.