SK하이닉스는 업계 최초로 신소재 ‘High-K EMC’를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 글로벌 고객사에 공급을 시작했다고 28일 밝혔다.
이번 제품은 반도체 패키징 공정에서 사용되는 소재에 혁신을 적용한 것으로, 기존 대비 열전도도가 3.5배 향상되고 열저항은 47% 개선된 것이 특징이다.
회사 측은 온디바이스 AI 구동 과정에서 대량의 데이터를 고속으로 처리할 때 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 핵심 원인이 되어 왔으며, 새 제품이 이 문제 해결에 크게 기여해 글로벌 주요 고객사로부터 호평을 얻고 있다고 설명했다.
최신 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP 구조를 채택하고 있다. 이 방식은 제한된 공간을 효율적으로 활용하면서 데이터 처리 속도를 높일 수 있다는 장점이 있지만, 모바일 AP에서 발생하는 열이 위쪽에 쌓인 D램으로 전달되면서 기기 전체의 성능 저하로 이어지는 단점이 있었다.
SK하이닉스는 이 문제를 근본적으로 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)의 성능을 높이는 데 주목했다. 기존 EMC는 실리카를 주된 소재로 사용했는데, 여기에 알루미나를 혼합한 새로운 High-K EMC를 개발해 적용한 것이다. 그 결과 열 전달 능력이 크게 향상돼 발열이 효과적으로 분산되었고, 열 저항 역시 절반 가까이 낮출 수 있었다.
방열 성능이 개선되면서 스마트폰의 전반적인 성능이 향상되고 전력 소모는 줄어들어 배터리 사용 시간이 길어졌다. 이는 제품 수명 연장에도 기여할 수 있어 앞으로 모바일 업계에서 해당 제품에 대한 관심과 수요가 더욱 커질 것으로 기대된다.
이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 "이번 고방열 모바일 D램은 단순히 사양을 높이는 수준을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 실제로 겪는 발열 문제를 줄여 체감 품질을 개선하는 데 의미가 있다"고 강조했다. 그는 이어 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 확고히 구축하겠다"는 의지를 밝혔다.
