SK하이닉스가 세계 메모리 업계에서 처음으로 양산용 High NA EUV(극자외선 노광) 장비를 도입했다. 회사는 3일 이천 M16 캠퍼스에서 장비 반입 기념행사를 열고, 차세대 D램 개발 속도를 높여 글로벌 기술 주도권을 강화하겠다는 의지를 밝혔다.

이번에 반입된 장비는 네덜란드 ASML이 제작한 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV의 첫 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33)보다 개구수(NA)가 0.55로 향상돼 1.7배 더 미세한 패턴 구현과 2.9배 높은 집적도를 달성할 수 있다. 이를 통해 반도체 성능 향상과 원가 절감을 동시에 실현할 수 있을 것으로 기대된다.

행사에는 차선용 SK하이닉스 CTO(미래기술연구원장), 이병기 제조기술 부사장, 김병찬 ASML코리아 사장 등이 참석해 차세대 제조 기술의 도입을 축하했다.

SK하이닉스는 “이번 장비는 기존 EUV 공정을 단순화하면서 차세대 메모리 양산을 앞당길 핵심 인프라가 될 것”이라며 “파트너사와 협력해 글로벌 공급망 안정성과 신뢰를 한층 높여 나가겠다”고 밝혔다.

김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 혁신을 이끌 기술”이라며 “SK하이닉스와 협력해 차세대 메모리 시장을 선도할 수 있도록 지원하겠다”고 말했다.

차선용 CTO는 “AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 초미세 메모리를 가장 앞선 기술로 구현해 나갈 것”이라며 “이번 장비 도입이 미래 기술 비전을 현실화하는 중요한 발판이 될 것”이라고 강조했다.