SK하이닉스가 차세대 초고성능 AI 반도체 메모리인 ‘HBM4’를 세계 최초로 개발 완료하고, 본격적인 양산 체제를 구축했다고 12일 발표했다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 획기적으로 끌어올린 고성능 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, HBM → HBM2 → HBM2E → HBM3 → HBM3E에 이은 최신 단계다.

이번 신제품은 대역폭을 기존 대비 두 배로 확대한 2,048개 I/O를 적용했고, 전력 효율도 40% 이상 개선됐다. 특히 고객 시스템 적용 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 끌어올려 데이터 병목 현상을 해소하고, 데이터센터 운영비 절감에도 기여할 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 독자적인 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 결합해 양산 과정의 안정성을 높였다. 이 기술은 칩 적층 시 발생하는 휨 현상을 제어하고, 발열 방출 효율을 강화해 업계 내 신뢰성을 입증받았다.

또한 HBM4는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격 속도(8Gbps)를 크게 넘어선 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현했다.

조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발과 양산 체제 구축은 업계의 중요한 전환점”이라며 “고객 요구에 맞춰 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확실히 할 것”이라고 강조했다.

김주선 AI Infra 사장(CMO) 역시 “HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 대표적 기술 성과”라며, “AI 시대를 선도하는 풀 스택 메모리 공급자로 성장하겠다”고 밝혔다.